RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Corsair VS1GB800D2 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair VS1GB800D2 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair VS1GB800D2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,361.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,680.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,361.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
460
3273
Corsair VS1GB800D2 1GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link