RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
80
Rund um 70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
1775
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link