RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
80
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
80
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1775
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link