RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.3
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
17.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2394
3714
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link