RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2851
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link