RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
42
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2499
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link