RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
13
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2499
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link