RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2257
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link