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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2257
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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