Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.9 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 26
    Rund um -8% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.9 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 12.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3705 left arrow 2925
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RAM 2

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