Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.9 left arrow 16
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.7 left arrow 12.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 26
    Autour de -8% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 17000
    Autour de 1.13 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.9 left arrow 16.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    14.7 left arrow 12.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3705 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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