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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
14.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3705
2925
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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