RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2198
2584
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link