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Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2198
2584
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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