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Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2198
2584
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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