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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3398
3075
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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