RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3075
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link