RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2664
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link