RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
2,135.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2256
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link