RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,135.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2256
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link