RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3082
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link