RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2855
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link