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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2855
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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