RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2855
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link