RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
62
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.8
2,378.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
2.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
1505
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link