RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3448
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link