RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3448
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link