RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2581
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link