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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
41
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2581
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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