RAM-Vergleich Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.7 7.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 37

Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.2 9.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1781 2026

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns