Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

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Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 37
    Autour de -19% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.2 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    37 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.7 left arrow 11.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1781 left arrow 2026
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons