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Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1781
2026
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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