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Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1781
2026
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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