Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 37
    Por volta de -19% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 11.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1781 left arrow 2026
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RAM 1
RAM 2

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