RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
44
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14200
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.6
Speicherbandbreite, mbps
14200
21300
Other
Beschreibung
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2558
1660
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link