RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14200
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
21300
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2558
1660
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link