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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
14200
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
44
读取速度,GB/s
13.9
8.5
写入速度,GB/s
9.6
5.6
内存带宽,mbps
14200
21300
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
1660
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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