RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2703
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link