RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2703
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link