RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
78
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
1584
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link