RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3247
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link