RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2188
3726
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link