RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
1897
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link