RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2687
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link