RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2687
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link