RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2472
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre D4 8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link