RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
52
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
16
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
52
Velocità di lettura, GB/s
16.0
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2472
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link