RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2932
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link