RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3311
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link