RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3311
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link