RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3311
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link