RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2196
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link