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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs INTENSO M418039 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote
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INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
INTENSO M418039 8GB Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO M418039 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 46
    Rund um -130% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 1,519.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 3200
    Rund um 5.31 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,519.2 left arrow 7.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    241 left arrow 2414

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